DR技術的進步一直都是與平板探測器技術的發(fā)展緊密相連的。平板技術發(fā)展主要體現(xiàn)在：動態(tài)反應時間和尺寸的大小、像素間距、MTF、DQE等方面。根據(jù)探測器的工作原理和組成材料的不同，DR探測器的分類主要有三種：CCD、一線掃描和非晶體平板也就是我們所說的X光平板探測器。
【CCD】
因為存在著一定的物理局限性，普遍認為CCD并不能夠勝任大面積平板的采像工作，而且CCD設備在所采集的圖像的質(zhì)量上與非晶硅/硒平板設備差上一段距離。不過因為CCD的價格優(yōu)勢，在世界范圍內(nèi)仍然有廠家在使用著這種技術。
【一線掃描】
一線掃描也被稱作一維線掃描技術，這項技術是由俄羅斯科學院核物理研究所發(fā)明出來的，目前我國國內(nèi)生產(chǎn)該DR探測器的非常少。這項產(chǎn)品雖然設備造價和受照劑量方面都比平板技術要低很多，但是這項技術有著一些先天性的不足：X射線使用效率低、空間分辨率低、成像時間長、成像質(zhì)量差以及醫(yī)生和病體會收到大量輻射。
【非晶平板】
非晶平板由不同的材料也可以分為兩種類別：a-Se非晶硒層和a-Si非晶硅層
a-Se(非晶硒平板探測器)：這是一種直接探測的技術，在硒涂料層直接探測到X光子然后將其電信號轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號。目前這種技術應用范圍較少，屬于非主流X光平板探測器。
a-Si(非晶硅平板探測器)：這是一種兩步數(shù)字轉(zhuǎn)換的技術，X光子先變成可見光，然后利用光電探測技術探測到，再將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號。因涂層的技術不同，又可以分為非晶硅+氧化釓平板探測器和非晶硅+碘化銫平板探測器。目前這種技術廣泛應用于世界各大知名廠商中，應用范圍非常廣。
以上就是DR探測器的分類。CCD由于物理方面的限制，生產(chǎn)工藝和門檻也比較低，已經(jīng)開始逐漸被淘汰了;一線掃描也由于自身的缺憾很那作為主流產(chǎn)品;非晶體平板有具有的優(yōu)勢都不是前兩者可以比的，所以目前較為成熟主流的DR探測器就是X光平板探測器。
